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2.6 半导体器件型号命名方法
中国半导体分立器件型号的命名法见表2-18。
国际电子联合会半导体(分立)器件型号命名法见表2-19。
表2-18 中国半导体分立器件型号的命名法(GB 249—1989)
![](https://epubservercos.yuewen.com/E94A78/9313182403523401/epubprivate/OEBPS/Images/image45.jpg?sign=1739363999-LQr0yk21OQ3cwwXuLRt54RDlQGmxtagj-0-61e54d76a29961192765e0a0290a3812)
注:fa表示截止频率;Pc表示集电极最大允许耗散功率。
表2-19 国际电子联合会半导体(分立)器件型号命名法
![](https://epubservercos.yuewen.com/E94A78/9313182403523401/epubprivate/OEBPS/Images/image46.jpg?sign=1739363999-GG82pl3Nx495u7KkI6A2ZoZz8EGciYiz-0-79dd89eb16eca7e34685fd2743080749)
中国半导体分立器件型号的命名法见表2-18。
国际电子联合会半导体(分立)器件型号命名法见表2-19。
表2-18 中国半导体分立器件型号的命名法(GB 249—1989)
注:fa表示截止频率;Pc表示集电极最大允许耗散功率。
表2-19 国际电子联合会半导体(分立)器件型号命名法